SI7309DN-T1-GE3

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商品名称：SI7309DN-T1-GE3

商品类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单

封装规格：PowerPAK® 1212-8

生产批号：

晶体管 - FET，MOSFET - 单

型号：	SI7309DN-T1-GE3
制造商：	Vishay Siliconix
商品名称：	SI7309DN-T1-GE3
商品类别：	晶体管 - FET，MOSFET - 单
封装规格：	PowerPAK® 1212-8
生产批号：
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V，10V
FET 功能	-
FET 类型	P 沟道
Vgs (Max)	±20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	600pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	22nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	115 毫欧 @ 3.9A，10V
功率耗散（最大值）	3.2W（Ta），19.8W（Tc）
包装	剪切带（CT）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	PowerPAK® 1212-8
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
技术	MOSFET（Metal Oxide）
漏源极电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	8A（Tc）

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