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商品名称:SI4210DY-T1-GE3

商品类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装规格:8-SO

生产批号:

SI4210DY-T1-GE3

型号 :
SI4210DY-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
PDF :
PDF
库存 :
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型号: SI4210DY-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
商品名称: SI4210DY-T1-GE3
商品类别: 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装规格: 8-SO
生产批号:
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 445pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 12nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 35.5 毫欧 @ 5A,10V
功率 - 最大值 2.7W
包装 带卷(TR)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A

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