RN4986FE,LF(CB

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商品名称：RN4986FE,LF(CB

商品类别：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置

封装规格：ES6

生产批号：

晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置

型号：	RN4986FE,LF(CB
制造商：	Toshiba Semiconductor and Storage
商品名称：	RN4986FE,LF(CB
商品类别：	晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
封装规格：	ES6
生产批号：
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 250µA，5mA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 10mA，5V
功率 - 最大值	100mW
包装	剪切带（CT）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SOT-563，SOT-666
晶体管类型	1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	47k
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	4.7k
频率 - 跃迁	250MHz，200MHz

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